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二、DDR3接力DDR2，继续提速
虽然JEDEC（内存工业标准组织）尚未完全确立DDR3的标准，但是大体而言已经基本成型，8 bit 预取设计，较 DDR2 4bit 的预取设计提升一倍，其运算频率介于 800MHz -1600MHz之间 。此外，DDR3 的规格要求将电压控制在 1.5V ，较 DDR2 的 1.8V 更为省电。此外， DDR3 采用 ASR(Automatic self-refresh) 的设计，以确保在数据不遗失情况下，尽量减少更新频率来降低温度。下面是DDR3的特征。
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DDR1 |
DDR2 |
DDR3 |
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电压 VDD/VDDQ |
2.5V/2.5V |
1.8V/1.8V
(+/-0.1) |
1.5V/1.5V
(+/-0.075) |
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I/O接口 |
SSTL_25 |
SSTL_18 |
SSTL_15 |
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数据传输率(Mbps) |
200～400 |
400～800 |
800～1600 |
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容量标准 |
64M～1G |
256M～4G |
512M～8G |
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Memory Latency(ns) |
15～20 |
10～20 |
10～15 |
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CL值 |
1.5/2/2.5/3 |
3/4/5/6 |
5/6/7/8 |
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预取设计(Bit) |
2 |
4 |
8 |
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逻辑Bank数量 |
2/4 |
4/8 |
8/16 |
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突发长度 |
2/4/8 |
4/8 |
8 |
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封装 |
TSOP |
FBGA |
FBGA |
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引脚标准 |
184Pin DIMM |
240Pin DIMM |
240Pin DIMM |
·更高的外部数据传输率
·更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
·在保证性能的同时将能耗进一步降低
·为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：
·8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz
·采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担
·采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
凭借着更高运行频率，DDR3拥有更高内存带宽，相比现今DDR2 800所拥有的12.8GB/s数据带宽，达到DDR3 1600MHz时带宽将上升至25.6GB/s，恰恰是DDR2的两倍。
同时，DDR3内存模块拥有比DDR2更好的带宽功耗比（Bandwitdh per watt）。在DDR2工作电压1.8V的基础上，DDR3将工作电压再降至1.5V，这样功耗将会更低，相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比上代更好。
看点：当DDR2提速到达极限的时候，DDR3就要接过接力棒。DDR3最低都要从800Mhz起跳，最后到达1600Mhz的速度，提供两倍于目前DDR2的带宽和更低的功耗。
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